《Solid-state Electronics》雜志影響因子：1.4。
期刊Solid-state Electronics近年評價(jià)數(shù)據(jù)趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
以下是一些常見的影響因子查詢?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Solid-state Electronics》雜志是由Elsevier Ltd出版社主辦的一本以物理-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語言為English，創(chuàng)刊于1960年。自創(chuàng)刊以來，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q3區(qū)，中科院分區(qū)為物理與天體物理大類4區(qū)，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類4區(qū)。
期刊發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 發(fā)文量 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... | 55 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 38 |
| UNIVERSITE DE SAVOIE | 33 |
| CEA | 32 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 26 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 23 |
| KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY | 17 |
| STMICROELECTRONICS | 16 |
| POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY ... | 12 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 11 |
國家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| South Korea | 131 |
| CHINA MAINLAND | 104 |
| France | 76 |
| USA | 53 |
| GERMANY (FED REP GER) | 36 |
| India | 24 |
| Spain | 21 |
| England | 17 |
| Belgium | 16 |
| Japan | 16 |
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 431 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 257 |
| APPL PHYS LETT | 248 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 136 |
| PHYS REV B | 106 |
| NATURE | 58 |
| SEMICOND SCI TECH | 52 |
| PHYS REV LETT | 47 |
| THIN SOLID FILMS | 43 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 384 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 199 |
| JPN J APPL PHYS | 150 |
| SEMICOND SCI TECH | 123 |
| J MATER SCI-MATER EL | 111 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 105 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 96 |
| APPL PHYS LETT | 93 |
| MATER RES EXPRESS | 84 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| Lightweight flexible indium-free oxide TFT... | 21 |
| The photovoltaic impact of atomic layer de... | 12 |
| Current-voltage analytical model and multi... | 11 |
| Low-voltage electric-double-layer MoS2 tra... | 11 |
| Effect of defect creation and migration on... | 11 |
| Characterization and modeling of 28-nm FDS... | 10 |
| Improve the performance of CZTSSe solar ce... | 10 |
| A review on terahertz photogalvanic spectr... | 8 |
| Multi-layer WSe2 field effect transistor w... | 8 |
| SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heteros... | 7 |
